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到目前為止平面拋光機的拋光是唯一可實現單晶硅片全局平面化的技術設備,采用該方法可使整個硅片獲得超光滑和無損傷的表面。其中,拋光液的質量是影響CMP效果的一個關鍵因素。目前,硅片CMP普遍使用粒徑為50~70 nm的球形SiO2為磨粒。作為一種高效拋光粉,納米CeO2已廣泛應用于超大規模集成電路SiO2介質層和隔離溝槽的化學機械拋光,具有高拋光效率和高表面質量等優點。有研究表明,將球型納米CeO2用于單晶硅片的化學機械拋光時,其拋光效率比球形SiO2高。

不過,平面拋光機納米CeO2拋光硅片的研究還處在初始階段,拋光液制備技術及相關拋光機理有待進一步完善。我國稀土鈰資源居世界首位,如能開發出適于硅片拋光的納米CeO2拋光液,將會促進硅片超精密加工技術的發展,社會經濟效益可觀。由此可見稀土拋光粉在單晶硅片的拋光過程中有著重要的作用，對單晶硅片的平面拋光機市場也有著相當大的影響。單晶硅片的平面拋光機技術在行業內的應用前景非常大，發展還有很大空間。